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ROHM開發出實現業界最低※VF與高抗浪涌電流的SiC肖特基勢壘二極管“SCS3系列”

分類:行業新聞 作者: 來源:世紀電源網 發布:2016-06-24 19:11:20

       非常適用于各種電源裝置的PFC電路,可大幅改善工作時效率
全球知名半導體制造商ROHM開發出非常適用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基勢壘二極管(以下稱SiC-SBD) SCS3系列。

  本產品采用新結構,不僅繼承了量產中的第2代SiC-SBD所實現的業界最低正向電壓※2(VF=1.35V、25℃)的特性,同時還確保了高抗浪涌電流特性。因此,還可用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路,非常有助于提高應用的效率。
本產品已于2016年3月開始出售樣品,計劃于2016年4月開始逐步投入量產。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd. (日本福岡縣),后期工序的生產基地為ROHM Korea Corporation(韓國)。
今后,ROHM將通過擴大SiC元器件產品的陣容,繼續為電力電子設備的節能化作出貢獻。
<背景>
近年來,在太陽能發電系統、工業用各種電源裝置、電動汽車及家電等電力電子領域,為提高功率轉換效率以實現進一步節能,更高效率的功率元器件產品備受期待。SiC器件與以往的Si器件相比,具有優異的材料特性,在這些領域中的應用日益廣泛。尤其是在服務器等這類要求更高電源效率的設備電源中,SiC-SBD產品因其快速恢復特性可有效提高效率而被用于PFC電路來提高設備效率。在這些用途中,抗浪涌電流※3特性成為重要的參數。一直以來,ROHM的第1代、第2代SiC-SBD產品均深獲客戶好評。為了進一步擴大應用范圍,ROHM 采用新產品結構,成功開發出保持業界最高水平的低VF特性、并實現高抗浪涌電流特性的產品。


<特點>
1. 保持低VF特性,實現高抗浪涌電流能力
此次開發的第3代SiC-SBDSCS3系列,為實現高抗浪涌電流能力,采用了JBS(Junction Barrier schottky)結構。以往的結構是可有效提高抗浪涌電流能力、并改善泄漏特性的結構,而ROHM的第3代最新產品,不僅具備以往產品的特點,而且還進一步改善了第2代SiC-SBD所實現的低VF特性,將作為更高性能的產品大展身手。

 
 
 
 
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